西數宣布新閃存堆疊218層 存儲密度提升50% 你知道嗎？

3.2Gbps!西數、鎧俠宣布218層新閃存

西部數據、鎧俠聯合宣布了下一代3D NAND閃存的一些技術細節，這次堆疊到了218層。

新閃存包含四個平面(plane)，應用了先進的晶圓鍵合(wafer bonding)、橫向收縮(lateral shrink)技術，并在橫向收縮、縱向收縮方面取得平衡，存儲密度比上代提升超過50%，達到了1Tb(128GB)。

值得一提的是，西數、鎧俠開發了新的CBA技術，也就是將CMOS直接鍵合在陣列之上(CMOS directly Bonded to Array)，每個CMOS晶圓、單元陣列晶圓都使用最適合的技術工藝獨立制造，再鍵合到一起，從而大大提升存儲密度、I/O速度。

是的沒錯，妥妥的長江存儲晶棧Xtacing 3.0技術的既視感。

根據官方數據，新閃存的NAND I/O接口傳輸速度達到3.2Gbps，比上代提升多達60%，同時在寫入性能、讀取延遲方面改善了20%，整體性能、可用性再上新臺階。

再加上工藝、架構方面的革新，成本方面也進一步優化。

閃存類型方面，TLC、QLC都可以。

不過，西數、鎧俠并未透露218層新閃存何時商用，會首先用在哪些產品上。

事實上，長江存儲去年發布的晶棧3.0閃存就已經做到了232層，還有2400MT/s I/O速度，并應用于致態TiPlus7100 SSD系列，但因為你懂的原因沒有公開宣傳。

去年7月份，美光第一家公開了232層閃存，但受市場需求疲軟影響，官方稱暫時不會商用。

隨后，SK海力士宣布了238層堆疊，三星一般認為做到了236層。

現在看來，NAND閃存這一輪的競爭，西數、鎧俠不但速度最慢，反而還是最落后的了。